BARRERAS EMISOR Ga As EM.
DIODO-RECEPTOR
SILICONA NPN EPITAXIAL PLANAR
 |
CARATERISTICAS |
|
Inversión voltaje emisor
6V |
|
Potencia disipación:
250mW |
|
Voltaje receptor-emisor
70V |
|
Voltaje emisor-receptor
7V |
|
Escala temperaturas:
-55ºC - +85ºC |
| Temperatura soldadura 260ºC |
TCST1000 |
|
|
BARRERAS EMISOR Ga As EM.
DIODO-RECEPTOR
SILICONA NPN EPITAXIAL PLANAR
 |
CARATERISTICAS |
|
Inversión voltaje emisor
6V |
|
Potencia disipación:
250mW |
|
Voltaje receptor-emisor
70V |
|
Voltaje emisor-receptor
7V |
|
Escala temperaturas:
-55ºC - +85ºC |
| Temperatura soldadura 260ºC |
TCST2000 |
|
|
BARRERAS EMISOR Ga As EM.
DIODO-RECEPTOR
SILICONA NPN EPITAXIAL PLANAR
 |
CARATERISTICAS |
|
Inversión voltaje emisor
5V |
|
Potencia disipación:
200mW |
|
Voltaje receptor-emisor
32V |
|
Voltaje emisor-receptor
5V |
|
Escala temperaturas:
-55ºC - +85ºC |
| Temperatura soldadura 260ºC |
CNY70 |
|
|
BARRERAS EMISOR - RECEPTOR
 |
CARATERISTICAS |
|
Inversión voltaje
receptor 16V |
|
Voltaje suministro emisor
16V |
|
Potencia disipación
receptor 75 mW |
|
Potencia disipación
emisor 250 mW |
|
Escala temperaturas:
-25ºC - +85ºC |
| Temperatura soldadura 260ºC |
GP1A01 |
|
|
BARRERAS EMISOR (TRANSMISOR)
- RECEPTOR (DIODO)
 |
CARATERISTICAS |
|
Inversión voltaje
receptor 6V |
|
Potencia disipación
receptor-emisor: 100mW-150mW |
|
Voltaje receptor-emisor
30V |
|
Voltaje emisor-receptor
6V |
|
IF=30mW - VCE=5V
1.9mA |
| Escala temperaturas: -55ºC - +85ºC |
H21A1 |
|
|
BARRERAS EMISOR (TRANSMISOR)
-RECEPTOR (DIODO)
 |
CARATERISTICAS |
|
Inversión voltaje
receptor 6V |
|
Potencia disipación
receptor-emisor: 100mW-150mW |
|
Voltaje receptor-emisor
30V |
|
Voltaje emisor-receptor
6V |
|
IF=30mW - VCE=5V
1.9mA |
| Escala temperaturas: -55ºC - +85ºC |
H22A1 |
|
|
BARRERAS EMISOR (TRANSMISOR)
-RECEPTOR (DIODO)
 |
CARATERISTICAS |
|
Inversión voltaje
receptor 4V |
|
Potencia disipación
receptor-emisor: 100mW-150mW |
|
Voltaje receptor - emisor
30V |
|
Voltaje emisor - receptor
7V |
|
Escala temperaturas:
-55ºC - +85ºC |
| Temperatura soldadura 260ºC |
H24B2 |
|
|
BARRERAS EMISOR (TRANSMISOR)
-RECEPTOR (DIODO)
 |
CARATERISTICAS |
|
Inversión voltaje
receptor 2V |
|
Potencia disipación
receptor-emisor: 80mW-50mW |
|
Voltaje receptor-emisor
15V |
|
Voltaje emisor-receptor
5V |
|
Escala temperaturas:
-40ºC - +100ºC |
| Escala temperatura oper.: -40ºC -
+125ºC |
OPB701 |
|
|
BARRERAS EMISOR (TRANSMISOR)
-RECEPTOR (DIODO)
 |
CARATERISTICAS |
|
Inversión voltaje DC
receptor 2V |
|
Potencia disipación
receptor-emisor: 75mW-100mW |
|
Voltaje receptor - emisor
15V |
|
Voltaje emisor - receptor
5V |
|
Escala temperaturas:
-40ºC - +85ºC |
| Temperatura soldadura 240ºC |
OPB707 |
|
|
BARRERAS EMISOR (TRANSMISOR)
-RECEPTOR (DIODO)
 |
CARATERISTICAS |
|
Inversión voltaje
receptor 2V |
|
Potencia disipación
receptor-emisor: 80mW-80mW |
|
Voltaje receptor-emisor
3V |
|
Voltaje emisor-receptor
5V |
|
Escala temperaturas:
-40ºC - +85ºC |
| temperatura soldadura 240ºC |
OPB711 |
|
|
BARRERAS EMISOR (TRANSMISOR)
-RECEPTOR (DIODO)
 |
CARATERISTICAS |
|
Inversión voltaje
receptor 2V |
|
Potencia disipación
receptor-emisor: 100mW-100mW |
|
Voltaje receptor - emisor
30V |
|
Voltaje emisor - receptor
5V |
|
Escala temperaturas:
-40ºC - +85ºC |
| Temperatura soldadura 240ºC |
OPB742 |
|
|
BARRERAS EMISOR (TRANSMISOR)
-RECEPTOR (DIODO)
 |
CARATERISTICAS |
|
Inversión voltaje
receptor 5V |
|
Potencia disipación
receptor-emisor: 100mW-100mW |
|
Voltaje receptor-emisor
30V |
|
Voltaje emisor-receptor
5V |
|
Escala temperaturas:
-40ºC - +85ºC |
| temperatura soldadura 260ºC |
OPB804 |
|
|
BARRERAS EMISOR (TRANSMISOR)
-RECEPTOR (DIODO)
 |
CARATERISTICAS |
|
Inversión voltaje
receptor 6V |
|
Potencia disipación
receptor-emisor: 100mW-150mW |
|
Voltaje receptor - emisor
70V |
|
Voltaje emisor - receptor
7V |
|
Escala temperaturas:
-55ºC - +100ºC |
| Temperatura soldadura 220ºC |
TCST1103 |
|
|
