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Optoelectrónica / Receptores Infrarrojos
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
ALTA VELOCIDAD
BP104 CARACTERÍSTICAS
Área sensitiva A=7,5mm2
Angulo medio sensibilidad: 60º
Potencia disipación: 150mW
Temperatura 80ºC
Escala temperaturas: -30ºC - +80ºC
Temperatura soldadura 245ºC BP104
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
NPN SILICIO EPITAXIAL PLANAR
BPW14 CARATERISTICAS
Caja sellada hermeticamente
Angulo medio sensibilidad 12,5º
Potencia disipación 150 mW
Temperatura 150ºC
Escala temperaturas -55ºC - +150ºC
Voltaje base receptor 32V BPW14
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
NPN SILICIO EPITAXIAL PLANAR
BPW17 CARATERISTICAS
Compatible con diodos IR-CQY36N y CQY37N
Angulo medio sensibilidad: 12,5º
Potencia disipación: 100mW
Temperatura 100ºC
Escala temperaturas: -25ºC - +100ºC
Voltaje base receptor 32V BPW17
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
PN SILICIO PLANAR FOTODIODO
BPW21 CARATERISTICAS
Caja sellada hermeticamente
Angulo medio sensibilidad 50º
Escala temperatura -25ºC - +100ºC
Resistencia térmica 250K/W
Sensibilidad cortocircuito 7.0nA/Ix
Voltaje circuito abierto 280-380mV BPW21
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
SILICIO FOTODIODO
BPW34 CARATERISTICAS
Area sensitiva A=7.5mm2
Angulo medio sensibilidad: 60º
Potencia disipación: 150mW
Temperatura soldadura 245ºC
Escala temperaturas: -30ºC - +80ºC
Voltaje circuito abierto 400mW BPW34
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
NPN SILICIO EPITAXIAL PLANAR
BPW40 CARATERISTICAS
Caja plástico Ø 5mm
Angulo medio sensibilidad 20º
Escala temperatura -25ºC - +100ºC
Temperatura 100ºC
Potencia disipación 100mW
Voltaje base receptor 32V BPW40
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
SILICIO
BPW41 CARATERISTICAS
Area sensitiva A=7.5mm2
Angulo medio sensibilidad: 65º
Potencia disipación: 150mW
Temperatura 80ºC
Escala temperaturas: -30ºC - +80ºC
Temperatura soldadura 260ºC BPW41
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
NPN SILICIO EPITAXIAL PLANAR
BPW42 CARATERISTICAS
Caja plástico Ø 3mm
Angulo medio sensibilidad 12.5º
Escala temperatura -25ºC - +100ºC
Temperatura 100ºC
Potencia disipación 100mW
Voltaje base receptor 32V BPW42
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
NPN SILICIO EPITAXIAL PLANAR
BPW77 CARATERISTICAS
Caja sellada hermeticamente
Angulo medio sensibilidad: 7.5º
Potencia disipación: 250mW
Temperatura 100ºC
Escala temperaturas: -55ºC - +125ºC
Voltaje base receptor 80V BPW77
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
NPN SILICIO EPITAXIAL PLANAR
BPW85 CARATERISTICAS
Caja plástico Ø 3mm
Angulo medio sensibilidad 25º
Escala temperatura -25ºC - +100ºC
Temperatura 100ºC
Potencia disipación 100mW
Voltaje base receptor 70V BPW85
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
NPN SILICIO EPITAXIAL PLANAR
BPW96 CARATERISTICAS
Caja plástico Ø 5mm
Angulo medio sensibilidad: 20º
Potencia disipación: 100mW
Temperatura 100ºC
Escala temperaturas: -25ºC - +100ºC
Voltaje base receptor 70V BPW96
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
FOTOTRANSISTOR SILICIO NPN EPITAXIAL
BPX38 CARATERISTICAS
Caja hermetica TO-18
Resistencia térmica 450K/W
Escala espectral fotosensibilidad 450-1150nm
Potencia disipación 330mW
Voltaje base receptor 50V
Voltaje base emisor 7V BPX38
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
NPN SILICIO PLANAR FOTOTRANSISTOR
LS600 CARATERISTICAS
Escala temperatura oper. -65ºC - +125ºC
Voltaje receptor-emisor 50V
Voltaje emisor-receptor 7v
Temperatura soldadura 240ºC
Potencia disipación 50mW
temperatura ambiente 25ºC LS600
SENSOR INFRARROJOS RECEPTOR,
SFH5110 CARATERISTICAS
Fotodiodo con circuito integrada híbrido
Escala temperatura oper. -25ºC - +85ºC
Suministro voltaje 60
Potencia disipación 50mW
Angulo medio sensibilidad 45º
Temperatura soldura 250ºC SFH506.36
SFH5110